GaN 元件型態與技術分類｜修正版
HEMT 是元件結構；p-GaN、MIS-HEMT 與 GIT 涉及閘極設計及技術；e-mode／d-mode 是操作模式；Cascode 是複合開關。垂直 GaN 電晶體與二極體則依電流路徑分類。
查看完整圖片GaN 產品特性與 3D 技術圖解
以元件結構、材料平台與整合方式，理解 GaN 電源技術。點選圖片可開啟原圖放大查看。
GaN 材料平台與整合方式
GaN-on-Si 與 GaN-on-SiC 說明基板平台，評估成本、規模、供應與散熱。Discrete GaN 由外部搭配驅動與保護；GaN Power IC 整合部分功能，仍可採 HEMT。SiC 基板不等於 SiC MOSFET。
查看完整圖片版本參考｜查看第三張原版型態圖
GaN 型態圖｜原版參考
此圖保留作版本參考。垂直電晶體的 G 閘極與二極體 A／K 端點，請以上方修正版為準；二極體不使用 S／D 端點名稱。
查看完整圖片圖中為概念剖析，非匯微已量產產品或特定晶圓廠實際結構；尺寸不按比例。圖片內文字保留原稿，標題與簡介可切換中英文。
HUIWEI TECHNOLOGY · PRODUCT ROADMAP · 2026-2028
英文版總覽圖；點選圖片可放大查看季別里程碑。
SiC / GaN / Ga₂O₃ 產品路線圖
從 Tape-out、工程樣品、客戶評估與可靠度驗證，到試產及量產放行，了解匯微 2026-2028 年產品開發方向。
- SiC：650V 二極體規劃 2027 Q4 量產；650/1200V MOSFET 與高壓產品規劃 2028 年分批放行。
- GaN：650V 與 80/100V 產品規劃 2027 年流片與評估，2028 年推進驗證、試產及量產放行。
- Ga₂O₃：以 650V Schottky 二極體探索線為先，規劃 2028 年試產及條件式量產審查。
規劃目標：圖中日期並非已完成里程碑或供貨承諾。各節點須確認製程、資金、驗證、產能與客戶接受條件；Ga₂O₃ 的 MP* 為條件式放行審查，基準為試產／有限量供應。
從功能位置，走到樣品評估。
功能位置 → 候選料號 → 3D立體剖面 → 規格書 → 樣品申請
點選料號或3D圖片即可查看完整立體剖面。文件核對基準：2026/09/27。3D圖為工程示意，不代表晶圓廠實際Cell Architecture；候選亦非設計核准或供貨承諾。
產品料號 × 應用剖析
點圖放大。以下中英文文字與規格書為料號對照依據；圖片文字為簡化示意。
AI 伺服器電源
約400–430V母線的PFC與隔離DC/DC候選；Boost二極體適用於傳統Boost PFC，非所有圖示拓撲皆使用。
800VDC 機櫃轉換
1200V SiC候選用於800VDC隔離轉換至48/54V；須核對尖峰、降額與保護。
BESS／UPS／工業電源
雙向DC/DC與逆變器應用候選；依母線與各開關實際應力選擇1200V或1700V。
模組化中壓 SST
13.8kVAC至800VDC的多單元架構概念；高壓SiC作單元轉換／整流候選，並非單顆直接承受13.8kV。50A料號資料待補。
應用概念與候選元件，非已驗證整機。拓撲、封裝、額定值、熱設計及可靠度均須工程確認。
02 候選料號與規格書
NEW · 3300 V · SiC MOSFET
HWDS50SCM330X61
50 mΩ · Bare die
3.3kV MOSFET 中壓轉換候選
Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認
查看3D剖面與產品資料對應產品應用NEW · 2000 V · SiC MOSFET
HWDS2Q200045BD
45 mΩ · Bare die
2.0kV MOSFET 高壓 DC/DC 候選
Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認
查看3D剖面與產品資料對應產品應用NEW · 3300 V · SiC DIODE
HWDSD10HCS330U
10 A · Package drawing pending
3.3kV 二極體整流／箝位候選
Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認
查看3D剖面與產品資料對應產品應用NEW · 3300 V · SiC DIODE
HWDSD90HCS330U
90 A @ TC = 25°C
3.3kV 二極體大電流整流候選
Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認
查看3D剖面與產品資料對應產品應用NEW · 3300 V · SiC DIODE
HWDSD50HCS330U
50 A class · Source data pending
3.3kV / 50A 資料待補項目
原始規格資料待補；目前僅提供待資料封面
查看3D剖面與產品資料對應產品應用NEW · 5000 V · SiC DIODE
HWDSD10HCS500U
10 A @ TC = 165°C
5kV 二極體技術評估候選
Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認
查看3D剖面與產品資料對應產品應用650 V · SiC DIODE
H3S065U006
6 A @ TC = 156°C
TO-263-2L-1NC
Rev. 1.2 · 已有規格書
傳統 Boost PFC 升壓二極體候選；電流須依殼溫與波形降額。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用650 V · SiC DIODE
H3S065U008
8 A @ TC = 153°C
TO-263-2L-1NC
Rev. 1.2 · 已有規格書
傳統 Boost PFC 升壓二極體候選；電流須依殼溫與波形降額。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用650 V · SiC DIODE
H3S065U010
10 A @ TC = 151°C
TO-263-2L-1NC
Rev. 1.2 · 已有規格書
傳統 Boost PFC 升壓二極體候選；電流須依殼溫與波形降額。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用650 V · SiC DIODE
H3S065A010
10 A @ TC = 151°C
TO-220-2L
Rev. 1.2 · 已有規格書
傳統 Boost PFC 升壓二極體候選；電流須依殼溫與波形降額。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用650 V · SiC MOSFET
H3M065F011
RDS(on) typ. 11 mΩ @ VGS 18 V, ID 100 A, TC 25°C
TO-247-3L
Tentative Rev. 0.1 · 初步版規格書
約 400V 母線之 PFC 或隔離 DC/DC 開關候選；不可直接承受 800V。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用650 V · SiC MOSFET
H3M065Q011
RDS(on) typ. 11 mΩ @ VGS 18 V, ID 100 A, TC 25°C
TO-247-4L / Kelvin source
Preliminary Rev. 0.1 · 初步版規格書
約 400V 母線之 PFC 或隔離 DC/DC 開關候選；不可直接承受 800V。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用1200 V · SiC MOSFET
H1M120Q060
RDS(on) typ. 60 mΩ @ VGS 20 V, ID 20 A, TC 25°C
TO-247-4L
Rev. Pre 0.6 · 初步版規格書
高壓 AFE、DC/DC 或逆變橋臂候選；800V 母線需核對尖峰與降額。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用1200 V · SiC MOSFET
H3M120Q025
RDS(on) typ. 25 mΩ @ VGS 15 V, ID 50 A, TC 25°C
TO-247-4L
Rev. Pre 0.2 · 初步版規格書
高壓 AFE、DC/DC 或逆變橋臂候選；800V 母線需核對尖峰與降額。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用1200 V · SiC MOSFET
H3M120Q016
RDS(on) typ. 16 mΩ @ VGS 18 V, ID 100 A, TC 25°C
TO-247-4L
Rev. Pre 0.4 · 初步版規格書
高壓 AFE、DC/DC 或逆變橋臂候選；800V 母線需核對尖峰與降額。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用1700 V · SiC MOSFET
H1M170Q045
RDS(on) typ. 45 mΩ @ VGS 20 V, ID 30 A, TC 25°C
TO-247-4L
Rev. 1.1 · 已有規格書
工業高壓開關與隔離轉換候選；依各開關實際阻斷電壓選型。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用3300 V · SiC DIODE
HCS090X330
VRRM 3300 V · VF typ. 2.2 V @ IF 90 A, TJ 25°C
Die Only / 裸晶
Rev. 1.0 · 已有規格書
整流／特定續流位置之裸晶候選。90A 為 VF 測試條件；封裝、連續額定電流、熱阻及供貨須確認。
樣品／量產／交期：待匯微確認
查看3D立體剖面對應產品應用目前文件中沒有符合條件的候選料號
不以其他耐壓或不同元件類型自動替代。可提交需求，由匯微確認選型與供貨。
SiC DEVICE SELECTION GUIDE
先看電路功能，再選 SiC 元件。
SiC Schottky Diode
用於整流等單向導電位置。選料時先確認反向耐壓、正向電流、正向壓降與浪湧能力，再核對封裝及散熱條件。
SiC MOSFET
用於需要閘極控制的功率切換位置，例如 PFC、DC/DC 與逆變器。選料時綜合評估耐壓、導通電阻、開關損耗、閘極驅動與散熱。
本圖為選型概覽；應用與封裝為類型示例。實際料號規格、供應封裝及適用條件，請以對應規格書與工程確認為準。
查看候選料號與規格書應用功能總覽
3D 圖為應用概念；圖中各功能可能依拓撲增減或調整順序，亦非完整供應目錄。元件耐壓不等於母線電壓。
04 樣品評估／需求洽詢
填妥後可預覽、複製內容或開啟郵件程式；須由您自行寄出至 david@huiwei.com.tw。
申請內容預覽
選型確認事項
核對實際開關阻斷電壓、尖峰與降額；依相同驅動與溫度條件比較熱態導通損耗和切換能量，再確認封裝、驅動、可靠度及交期。不同測試條件下的 mΩ 不能直接當成效率排名。