SiC 規格書下載中心

HWDS50SCM330X61

3300 V · SiC mosfet · 50 mΩ · Bare die

Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認

HWDS2Q200045BD

2000 V · SiC mosfet · 45 mΩ · Bare die

Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認

HWDSD10HCS330U

3300 V · SiC diode · 10 A · Package drawing pending

Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認

HWDSD90HCS330U

3300 V · SiC diode · 90 A @ TC = 25°C

Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認

HWDSD50HCS330U

3300 V · SiC diode · 50 A class · Source data pending

原始規格資料待補；目前僅提供待資料封面

HWDSD10HCS500U

5000 V · SiC diode · 10 A @ TC = 165°C

Rev04 初步技術審查版；供貨及封裝須確認

HCS090X330 — 3300V · Die Only

SiC Schottky Diode · Rev. 1.0 · IF=90A is a VF test condition; continuous current, packaging and supply require confirmation.

H3S065U006 Series — 650V / 6A

SiC Schottky Barrier Diode · Rev. 1.2 · Circuit Diagram & Package Marking

H3S065U008 Series — 650V / 8A

SiC Schottky Barrier Diode · Rev. 1.2 · Circuit Diagram & Package Marking

H3S065U010 Series — 650V / 10A

SiC Schottky Barrier Diode · H3S065A010 / H3S065T010 / H3S065U010 · Rev. 1.2

H3M065Q011 — 650V / 11mΩ

SiC MOSFET · TO-247-4L · Preliminary Rev. 0.1

H3M065F011 — 650V / 11mΩ

SiC MOSFET · TO-247-3L · Tentative Rev. 0.1

H1M170Q045 — 1700V / 45mΩ

SiC MOSFET · TO-247-4L · 3D Package Marking · Huiwei Black-Gold Master

H1M120Q060 — 1200V / 60mΩ

SiC MOSFET · TO-247-4L · 3D Package Marking · Huiwei Black-Gold Master

H3M120Q025 — 1200V / 25mΩ

SiC MOSFET · TO-247-4L · 3D Package Marking · Huiwei Black-Gold Master

H3M120Q016 — 1200V / 16mΩ

SiC MOSFET · TO-247-4L · 3D Package Marking · Huiwei Black-Gold Master